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SVF8N80F	文件：278.31 Kbytes Page：10 Pages	8A,800VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF8N80T/F/KisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimprovedplanarstripe cellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailoredtominimizeon-	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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SVF8N80K	文件：278.31 Kbytes Page：10 Pages	8A,800VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF8N80T/F/KisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimprovedplanarstripe cellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailoredtominimizeon-	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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SVF8N80T	文件：278.31 Kbytes Page：10 Pages	8A,800VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF8N80T/F/KisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary F-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimprovedplanarstripe cellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailoredtominimizeon-	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
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TSM8N80	文件：406.51 Kbytes Page：10 Pages	800VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM8N80N-ChannelenhancementmodePowerMOSFETisproducedbyplanarstripeDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM8N80CI	文件：406.51 Kbytes Page：10 Pages	800VN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription TheTSM8N80N-ChannelenhancementmodePowerMOSFETisproducedbyplanarstripeDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
FQPF8N80C
功能描述：
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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