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FQU13N10LTU	文件：998.7 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel QFET MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a 文件：998.7 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQU13N10TU	文件：867.56 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET MOSFET 文件：867.56 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HFP13N10	文件：541.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：541.55 Kbytes 页数：7 Pages	HUASHAN 华汕电子器件	HUASHAN
HRD13N10K	文件：325.83 Kbytes Page：9 Pages	Superior Avalanche Rugged Technology 文件：325.83 Kbytes 页数：9 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW

详细参数

型号：
FQU13N10LTU
功能描述：
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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