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FQT5P10TF	文件：1.07086 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -1.0 A, 1.05 廓 Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a 文件：1.07086 Mbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQT5P10TF	文件：869.57 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel QFET® MOSFET -100 V, -1.0 A, 1.05 Ω Description This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a 文件：869.57 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQT5P10TF	文件：1.04314 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.04314 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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SS5P10	文件：110.43 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers 文件：110.43 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SS5P10	文件：97.64 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers 文件：97.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
FQT5P10TF
功能描述：
MOSFET -100V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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