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FQB5P10	文件：655.1 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5P10	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5P10TM	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5P10	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-3.6A,1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features •-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05Ω@VGS=-10V •Lowgatecharge(typical6.3nC) •LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5P10TF	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-3.6A,1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5P10TM	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFETMOSFET-100V,-3.6A,1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI5P10	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI5P10	文件：655.1 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP5P10	文件：646.39 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF5P10	文件：661.24 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQT5P10	文件：668.65 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQT5P10	文件：1.82344 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FQT5P10TF	文件：1.04314 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FQT5P10TF	文件：1.07086 Mbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-1.0A,1.05廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features •-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05Ω@VGS=-10V •Lowgatecharge(typical6.3nC) •LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
KQD5P10	文件：63.66 Kbytes Page：2 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KSMU5P10	文件：649.52 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
PJD5P10A	文件：391.23 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
SS5P10	文件：96.76 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMount	VishayVishay Siliconix 威世科技

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更多FQT5P10TF-CUTTAPE供应商更新时间2024-4-27 14:30:00

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