100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has bl. Features • -3.6A, -100V, RDS(on) = 1.05Ω @VGS = -10 V • Low gate charge ( typical 6.3 nC) • Low Crs

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -3.6 A, 1.05?

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-3.6 A，1.05 Ω，DPAK

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-3.6 A，-100 V，RDS(on)= 1.05 Ω（最大值）@VGS = -10 V，ID = -1.8 A栅极电荷低（典型值：6.3nC)\n•低 Crss（典型值18pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -100V, ID= -18A RDS(ON)

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BYCHIP

百域芯

100V P-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -3.6 A, 1.05?

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P-Channel QFET MOSFET -100 V, -3.6 A, 1.05?

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仙童半导体