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TSM8N80CI

800V N-Channel Power MOSFET

General Description The TSM8N80 N-Channel enhancement mode Power MOSFETis produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse

文件:406.51 Kbytes 页数:10 Pages

TSC

台湾半导体

TSM8N80CIC0G

800V N-Channel Power MOSFET

文件:1.2055 Mbytes 页数:10 Pages

TSC

台湾半导体

TSM8N80CI

800V, 8A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM8N80CZ

800V N-Channel Power MOSFET

General Description The TSM8N80 N-Channel enhancement mode Power MOSFETis produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse

文件:406.51 Kbytes 页数:10 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    800

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    8

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    1400

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    1100

  • Qg (nC) @ 10V:

    41

  • Qgd (nC):

    11

  • Qgs (nC):

    10

  • Ciss (pF):

    1921

  • Coss (pF):

    146

  • Crss (pF):

    12

  • VGS(th) Max. (V):

    4

  • VGS(th) Min. (V):

    2

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