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TSM8N80CI	文件：406.51 Kbytes Page：10 Pages	800V N-Channel Power MOSFET GeneralDescription TheTSM8N80N-ChannelenhancementmodePowerMOSFETisproducedbyplanarstripeDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulse	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM8N80CIC0G	文件：1.2055 Mbytes Page：10 Pages	800V N-Channel Power MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
8N80	文件：185.98 Kbytes Page：5 Pages	800VN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC8N80isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecostumersplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandco	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
8N80	文件：154.36 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrent?밒D=8A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
8N80	文件：780.18 Kbytes Page：10 Pages	8A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N80	文件：779.27 Kbytes Page：10 Pages	8A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N80	文件：779.03 Kbytes Page：10 Pages	8A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N80	文件：779.05 Kbytes Page：10 Pages	8A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
8N80	文件：464.82 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
AM8N80P	文件：195.64 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel800-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AOK8N80	文件：310.46 Kbytes Page：5 Pages	800V,7.4AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOK8N80isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbeado	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOK8N80	文件：421.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT8N80	文件：354.83 Kbytes Page：6 Pages	800V,7.4AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT8N80&AOTF8N80havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT8N80	文件：297.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.63Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF8N80	文件：354.83 Kbytes Page：6 Pages	800V,7.4AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT8N80&AOTF8N80havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilit	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF8N80	文件：265.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BRF8N80	文件：1.13465 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
E8N80	文件：779.03 Kbytes Page：10 Pages	8A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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E8N80	文件：779.27 Kbytes Page：10 Pages	8A800VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH

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详细参数

型号：
TSM8N80CI
功能描述：
MOSFET 800V 8A N Channel Power Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TSM8N80CI供应商更新时间2024-5-24 11:36:00

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