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KSM3N60	文件：676.15 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSM3N60C	文件：1.66685 Mbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMB3N60	文件：660.97 Kbytes Page：4 Pages	ThisN-channelMOSFETSuseadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD3N60	文件：712.23 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD3N60C	文件：2.01698 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF3N60	文件：1.10056 Mbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTB3N60E	文件：146.91 Kbytes Page：4 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB3N60E	文件：74.47 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES600VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTM3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTN3N60BFP	文件：461.2 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN3N60FP	文件：281.28 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP3N60	文件：145.58 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=2Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) ■	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP3N60	文件：1.08664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP3N60	文件：200.41 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=2Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
MTP3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP3N60	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP3N60E	文件：235.38 Kbytes Page：8 Pages	HighEnergyPowerFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP3N60E	文件：183.86 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=2.2OHMS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP3N60F	文件：1.08664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
FQPF3N60
功能描述：
MOSFET 600V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	FQPF3N60	FAIRCHILD/仙童	2021+	TO-220	3580	原装现货/15年行业经验欢迎询价	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQPF3N60	onsemi(安森美)	23+	TO-220F	8498	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳好佳好科技有限公司	FQPF3N60	FAIRCHILD	1436+	TO220	30000	绝对原装进口现货可开17%增值税发票	询价
深圳市星佑电子有限公司	FQPF3N60	仙童	05+	TO-220F	4000	原装进口	询价
深圳市勤思达科技有限公司	FQPF3N60	FAIRCHILD	15+	TO-220F	11560	全新原装,现货库存,长期供应	询价
深圳市博浩通科技有限公司	FQPF3N60	FAIRCHIL	23+	TO-220F	8600	全新原装现货	询价
深圳市恒创达实业有限公司	FQPF3N60	FSC进口原	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FQPF3N60	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQPF3N60	harris	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	FQPF3N60	FARICHILD	22+	T0-220	5000	全新原装现货!自家库存!	询价

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