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10N20	文件：1.6556 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
10N20C	文件：875.37 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology. ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
EC-10N20	文件：227.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGHPOWER125WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS [EXICON] NANDPCHANNELLAERALMOSFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
ECX10N20	文件：400.4 Kbytes Page：4 Pages	NCHANNELLATERALMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
FDD10N20LZ	文件：615.61 Kbytes Page：8 Pages	UninterruptiblePowerSupply Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD10N20LZ	文件：358.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD10N20LZTM	文件：615.61 Kbytes Page：8 Pages	UninterruptiblePowerSupply Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FLX10N20	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation 东电化（中国）投资有限公司	TDK
FQ10N20	文件：788.66 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB10N20	文件：794.12 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB10N20C	文件：608.81 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB10N20C	文件：333.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB10N20L	文件：333.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB10N20L	文件：574.04 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD10N20	文件：787.25 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •7.8A,200V,RDS(on)=0.36Ω(Max.)@VGS=10V •LowGateCharge(Typ.13.5nC) •LowCrss(Typ.13pF)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD10N20	文件：576.23 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD10N20	文件：305.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD10N20C	文件：347.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD10N20C	文件：549.66 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •7.8A,200V,RDS(on)=360mΩ(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A •LowGateCharge(Typ.20nC) •LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD10N20C	文件：1.28335 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET200V,7.8A,360mOhm GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •7.8A,200V,RDS(on)=360mΩ(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A •LowGateCharge(Typ.20nC) •LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
FQE10N20LCTU
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
QFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	FQE10N20LCTU	Fairchild/ONSemiconducto	19+	TO-225AA	56800	TO-126-3	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	FQE10N20LCTU	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-126	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQE10N20LCTU	Fairchild/ON	22+	TO225AA TO1263	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	FQE10N20LCTU	ON Semiconductor	2022+	TO-225AA,TO-126-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市旺财半导体有限公司	FQE10N20LCTU	Fairchild	23+		33500		询价
深圳市创新迹电子有限公司	FQE10N20LCTU	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-126	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FQE10N20LCTU	FAIRCHILD	24+	TO-126	12300	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	FQE10N20LCTU	Fairchild/ON	23+	TO225AA TO1263	8000	只做原装现货	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	FQF20N60		2020+	原厂封装	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市宏德伟创科技有限公司	FQF28N50F	FSC	23+	TO-3P	8000	原装正品	询价

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