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FQH90N10V2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=105A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =10mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:327.86 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQH90N10V2

100V N-Channel MOSFET

文件:1.01771 Mbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQH90N10V2

100V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQP90N10V2

100V N-Channel MOSFET

文件:926.76 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP90N10V2

100V N-Channel MOSFET

文件:921.28 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP90N10V2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.01Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:296.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    FQH90N10V2

  • 功能描述:

    MOSFET NCH/150V/90A/QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FQH90N10V2供应商 更新时间2026-2-8 22:59:00