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FQH35N40	文件：327.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.105Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQH35N40	文件：300 bytes Page：1 Pages	400V N-Channel MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQH35N40	文件：699.28 Kbytes Page：8 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
DAM35N40H	文件：240.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.
FQA35N40	文件：362.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.105Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA35N40	文件：743.18 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features •35A,400V,RDS(on)=0.105Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical110nC) •LowCrss(typical65pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

型号：
FQH35N40
功能描述：
MOSFET 400V NCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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