60V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel QFET짰 MOSFET 60 V, 22.7 A, 45 m廓

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，22.7 A，45 mΩ，DPAK

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •22.7A, 60V, RDS(on)= 45mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 11.4A栅极电荷低（典型值：19nC)\n•低 Crss（典型值40pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体