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FQD3N60CTM_WS	文件：960.33 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET® MOSFET 600 V, 2.4 A, 3.4 Ω Features • 2.4 A, 600 V, RDS(on) = 3.4 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.2 A • Low Gate Charge (Typ. 10.5 nC) • Low Crss (Typ. 5 pF) • 100% Avalanche Tested Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS tech 文件：960.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD3N60CTM-WS	文件：960.33 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FQD3N60CS；Package：D-PAK；N-Channel QFET® MOSFET 600 V, 2.4 A, 3.4 Ω Features • 2.4 A, 600 V, RDS(on) = 3.4 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.2 A • Low Gate Charge (Typ. 10.5 nC) • Low Crss (Typ. 5 pF) • 100% Avalanche Tested Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS tech 文件：960.33 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD3P20	文件：549.29 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：549.29 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD3P50	文件：638.08 Kbytes Page：9 Pages	500V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w 文件：638.08 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD3P50TM	文件：766.8 Kbytes Page：9 Pages	500V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w 文件：766.8 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD30N06	文件：899.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：899.93 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FQD30N06_09	文件：739.93 Kbytes Page：9 Pages	60V N-Channel MOSFET 文件：739.93 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD30N06TM	文件：1.19965 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 60 V, 22.7 A, 45 m廓文件：1.19965 Mbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD3N40TM	文件：236.28 Kbytes Page：2 Pages	TO252-3L, JEDEC OPTION AA, PACKING CONFIGURATION Figure 1.0 文件：236.28 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FQD3N50C	文件：907.53 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET 文件：907.53 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-500
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
-5
ID Max (A)：
-2.1
PD Max (W)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4900
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
510
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FQD3P50	FAIRCHILD	24+	SOT-252	13500		询价
芯有半导体（深圳）有限公司	FQD3P50	仙童	05+	TO-252	8000	原装进口	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	FQD3P50	原厂	23+	TO-252	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	FQD3P50	FAIRCHIL	25+	TO-252	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQD3P50	FAIRCHILD	20+	TO-252(DPAK)	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	FQD3P50	FAIRCHILD	25+	TO-252	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FQD3P50	FAIRCHILD	25+	SOT-252	32500	普通	询价
深圳市正纳电子有限公司	FQD3P50	Fairchild(飞兆/仙童)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	FQD3P50	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQD3P50	FAIRCHILD/仙童	2022+	TO-252	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价

更多FQD3供应商更新时间2026-4-21 14:53:00

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