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FQU10N20L	文件：330.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KEMD10N20C	文件：2.32825 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,7.8A,360m	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD10N20	文件：1.70728 Mbytes Page：8 Pages	200VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD10N20C	文件：2.33332 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,7.8A,360m	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD10N20L	文件：2.04089 Mbytes Page：8 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF10N20	文件：2.05276 Mbytes Page：7 Pages	200VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU10N20	文件：1.70728 Mbytes Page：8 Pages	200VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU10N20C	文件：2.32825 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,7.8A,360m	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU10N20C	文件：2.33332 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,7.8A,360m廓	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SKS10N20	文件：318.43 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSU10N20-C	文件：672.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
STUD10N20	文件：126.75 Kbytes Page：10 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	Samhop 三合微科	Samhop

详细参数

型号：
FQD10N20LTF
功能描述：
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQD10N20LTF供应商更新时间2024-5-25 16:24:00

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