FQA160N08中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，80 V，160 A，7 mΩ，TO-3P数据手册ONSEMI规格书
FQA160N08规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•160A, 80V, RDS(on)= 7mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 80A栅极电荷低（典型值：220nC)
•低 Crss（典型值530pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值
•175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
• Switched Mode Power Supplies
• Audio Amplifiers
• DC Mode Control
• Variable Switching Power Applications
技术参数
- 制造商编号
：FQA160N08
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：160
- PD Max (W)
：375
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：225
- Ciss Typ (pF)
：6100
- Package Type
：TO-3P-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
35615 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-3PN3L |
5675 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-3 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
13+ |
TO-3P |
224 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-3P |
32360 |
ON/安森美全新特价FQA160N08即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FSC |
25+ |
DIP-8 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-247 |
880000 |
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询价 | ||
FAIRCHI |
2430+ |
TO-247 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |
