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ICL7103	文件：168.11 Kbytes Page：19 Pages	Precision41/2Digit,A/DConverter TheICL8052AorICL8068A/lCL71C03chippairswiththeirmultiplexedBCDoutputanddigitdriversareideallysuitedforthevisualdisplayDVM/DPMmarket.	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IPP-7103IT	文件：104.56 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE,IT90,IMPEDANCETRANSFORMING	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IRF7103	文件：169.18 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=50V,Rds(on)=0.130ohm,Id=3.0A) Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103IPBF	文件：263.4 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103PBF	文件：273.24 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheSO-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhancedthermalcharacteristicsanddual-diecapabilitymakingitidealinavarietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevicescanbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspace.The	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103PBF	文件：308.94 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103Q	文件：169.02 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=50V) AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMO	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103QPBF	文件：263.47 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEMOSFETHEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103QTRPBF	文件：259.93 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103TR	文件：420.2 Kbytes Page：9 Pages	DualN-ChannelMOSFET Features VDs(v=50V RDpsON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
IRF7103TRPBF	文件：309.95 Kbytes Page：10 Pages	adavancedprocesstechnology Description TheSO-8hasbeenmodifiedthroughacustomizedleadframeforenhancedthermalcharacteristicsanddual-diecapabilitymakingitidealinavarietyofpowerapplications.Withtheseimprovements,multipledevicescanbeusedinanapplicationwithdramaticallyreducedboardspace.The	IRF International Rectifier	IRF
IRF7103TRPBF	文件：1.2215 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LTC7103	文件：1.35047 Mbytes Page：48 Pages	Six-Phase,SynchronousBidirectionalBuckorBoostController	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC7103	文件：1.28312 Mbytes Page：32 Pages	LowIQ,60V,HighFrequencySynchronousStep-DownController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC7103	文件：2.317 Mbytes Page：38 Pages	150VLowIQ,SynchronousStep-DownDC/DCController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC7103	文件：1.94877 Mbytes Page：30 Pages	Fast150VProtectedHighSideNMOSStaticSwitchDriver DESCRIPTION TheLTC®7000/LTC7000-1isafasthighsideN-channelMOSFETgatedriverthatoperatesfrominputvoltagesupto135V.ItcontainsaninternalchargepumpthatfullyenhancesanexternalN-channelMOSFETswitch,allowingittoremainonindefinitely. FEATURES ■WideOperatingVIN:3.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC7103	文件：2.31803 Mbytes Page：48 Pages	Quad-Phase,SynchronousBidirectionalBuckorBoostController	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC7103	文件：1.67359 Mbytes Page：32 Pages	140VHighEfficiencySwitchingSurgeStopper	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC7103	文件：1.95999 Mbytes Page：30 Pages	Fast150VProtectedHighSideNMOSStaticSwitchDriver	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC7103	文件：1.67099 Mbytes Page：59 Pages	100VVINandVOUTSynchronous4-SwitchMultiphaseBuck-BoostDC/DCController FEATURES Built-InMultiphaseCurrentSharing 18μAPass-ThruModeIQwith99.9Efficiency Pass-ThruorFixedOutputCCM,DCMOperation ProgrammableNon-SwitchingPass-ThruWindow VINRange:2.8Vto100V(4.5VforStart-Up) VOUTRange:1Vto100V ReverseInputProtectionto-40V	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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更多FP7103XR-LFIC供应商更新时间2024-9-25 11:00:00

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