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LP589X	文件：2.96341 Mbytes Page：72 Pages	LP5899SPI-CompatibleConnectivityforLP589xDeviceFamily 1Features •OperatingvoltageVCCrange:2.5Vto5.5V •SPIperipheral –Datatransferrateupto20MHz –Supportmultipleperipheralswithonecontroller •ContinuousClockSerialInterface(CCSI) ControllerandPeripheral –Datatransferrateupto20MHz –Programmableclockjitterfor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
MBT589L	文件：446.38 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR DESCRIPTION For switchingandamplifierapplications.Especially suitableforAFdriverstagesandlowpoweroutput stages. AscomplementarytypetheNPNtransistor The MBT589LisavailableinSOT23package FEATURES AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT589	文件：1.46314 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES •EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating •HighcurrentsurfacemountPNPsiliconswitchingtransistorfor Loadmanagementinportableapplications MECHANICALDATA •Case:SOT-23(TO-236) •Terminals:PlatedsolderableperMIL-STD-750,method2026 •MountingPosition:Any •Mark	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MMBT589	文件：1.56936 Mbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●HighcurrentsurfacemountPNPsiliconswitchingtransistor forloadmanagementinportableappilications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT589	文件：473.32 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ThermalResistance,junctiontoAmbient:403	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT589	文件：2.37672 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) Features ●HighcurrentsurfacemountPNPsiliconswitchingtransistorfor Loadmanagementinportableapplications	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MMBT589	文件：166.47 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT589	文件：1.039369 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Largecurrent,surfacemountdevice. Applications Switchingforhighcurrentapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT589	文件：820.57 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighcurrentsurfacemountPNPsiliconswitchingtransistorfor Loadmanagementinportableapplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT589	文件：198.6 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●HighcurrentsurfacemountPNPsiliconswitchingtransistor forloadmanagementinportableappilications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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