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MMBT589分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MMBT589
厂商型号

MMBT589

参数属性

MMBT589 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

功能描述

PNP General Purpose Transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

166.47 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN银河微电

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:21:00

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产品属性

  • 产品编号:

    MMBT589LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

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