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FGPF50N33BT中文资料330V, 50A PDP IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGPF50N33BT

功能描述

330V, 50A PDP IGBT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 19:24:00

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技术参数

  • 型号:

    FGPF50N33BT

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 330V, 50A PDP

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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FAIRCHILD/仙童
24+
TO220F
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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只做原装正品
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22+
TO220F
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TO220F
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BOM配单专家,发货快,价格低
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24+
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