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FGPF50N33BT	文件：661.12 Kbytes Page：8 Pages	330V, 50A PDP IGBT General Description Using novel trench IGBT technology, Fairchild®s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP TV applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V @ IC = 50 A 文件：661.12 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGPF50N33BTTU	文件：661.12 Kbytes Page：8 Pages	330V, 50A PDP IGBT General Description Using novel trench IGBT technology, Fairchild®s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP TV applications where low conduction and switching losses are essential. Features • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V @ IC = 50 A 文件：661.12 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGPF50N33BT	文件：300 bytes Page：1 Pages	330V, 50A PDP IGBT	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IXGP50N33TBM-A	文件：153.8 Kbytes Page：5 Pages	Trench Gate IGBT For PDP Applications 文件：153.8 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
S50N33AA	文件：1.01411 Mbytes Page：7 Pages	S50 Industrial RTDs & Thermocouples with NPT Connections DESCRIPTION Ashcroft® S50 temperature sensor assemblies provide accurate temperature measurements. Each temperature sensor assembly consists of a spring-loaded temperature sensor, magnesium oxide (MgO), insulated insert, connection head and lag extension. The assembly may also include an optional 文件：1.01411 Mbytes 页数：7 Pages	ASHCROFT 雅斯科	ASHCROFT
S50N33AB	文件：1.01411 Mbytes Page：7 Pages	S50 Industrial RTDs & Thermocouples with NPT Connections DESCRIPTION Ashcroft® S50 temperature sensor assemblies provide accurate temperature measurements. Each temperature sensor assembly consists of a spring-loaded temperature sensor, magnesium oxide (MgO), insulated insert, connection head and lag extension. The assembly may also include an optional 文件：1.01411 Mbytes 页数：7 Pages	ASHCROFT 雅斯科	ASHCROFT

详细参数

型号：
FGPF50N33BT
功能描述：
IGBT 晶体管 330V, 50A PDP
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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