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FGY75N60SMD

600V,75A,场截止IGBT

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 •高电流能力\n•低饱和电压:VCE(sat) = 1.9V @ IC = 75A\n•高输入阻抗\n•快速开关:EOFF =10uJ/A\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FGY75N60SMD

600V, 75A Field Stop IGBT

文件:432.19 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGY75N60SMD

Package:TO-247-3 变式;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 150A 750W POWER-247

ONSEMI

安森美半导体

IGW75N60T

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

文件:377.79 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IGW75N60T

Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

文件:403.33 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IGW75N60T

Low Loss IGBT: IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology

文件:546.98 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    FGY75N60SMD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    2.3mJ(开),770µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    24ns/136ns

  • 测试条件:

    400V,75A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 供应商器件封装:

    PowerTO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 150A 750W POWER-247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多FGY75N60SMD供应商 更新时间2026-2-10 8:11:00