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IGW75N60T	文件：377.79 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW75N60T	文件：403.33 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW75N60T	文件：546.98 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT: IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW75N60T_09	文件：403.33 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW75N60T_14	文件：546.98 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT: IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW75N60TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIKW75N60CT	文件：1.9783 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
FGH75N60SF	文件：686.2 Kbytes Page：8 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH75N60SFTU	文件：686.2 Kbytes Page：8 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH75N60UF	文件：264.59 Kbytes Page：8 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH75N60UFTU	文件：264.59 Kbytes Page：8 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGW75N60H	文件：578.53 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/75A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FGW75N60HD	文件：639.46 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/75A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
FGY75N60SMD	文件：432.19 Kbytes Page：10 Pages	600V,75AFieldStopIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IKFW75N60ET	文件：2.01717 Mbytes Page：16 Pages	TRENCHSTOPTMIGBTcopackedwithRapid1fastandsoftantiparalleldiodeinfullyisolatedpackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW75N60T	文件：411.41 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP™andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode ●VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ●MaximumJunctionTemperature175°C ●Shortcircuitwithstandtime5s ●PositivetemperaturecoefficientinVCE(sat) ●verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW75N60T	文件：411.47 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW75N60T	文件：33.13 Kbytes Page：1 Pages	MaterialContentDataSheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW75N60TA	文件：1.00395 Mbytes Page：13 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IKW75N60TFK	文件：330.08 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=75A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
IGW75N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多IGW75N60T供应商更新时间2024-4-19 16:36:00

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