FGY75N60SMD中文资料600V，75A，场截止IGBT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

特性 Features

•高电流能力
•低饱和电压：VCE(sat) = 1.9V @ IC = 75A
•高输入阻抗
•快速开关：EOFF =10uJ/A
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 发电和配电

简介

FGY75N60SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGY75N60SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。