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FGY160T65SPD_F085数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGY160T65SPD_F085 |
| 参数属性 | FGY160T65SPD_F085 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：650V FS GEN3 TRENCH IGBT |
| 功能描述 | 650V,160A Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | FGY160T65SPD_F085价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGY160T65SPD_F085规格书详情
简介
FGY160T65SPD_F085属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGY160T65SPD_F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
FGY160T65SPD-F085
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，160A
- 开关能量：
12.4mJ（开），5.7mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/98ns
- 测试条件：
400V，160A，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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ON/安森美 |
21+ |
TO-247 |
20000 |
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ON |
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NA |
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onsemi/安森美 |
两年内 |
NA |
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ON |
24+ |
TO-247-3 |
25000 |
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ON(安森美) |
23+ |
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ON |
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TO-247 |
11500 |
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ON |
23+ |
TO247 |
20000 |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO247 |
10000 |
询价 |
