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FGY160T65SPD-F085	文件：3.43739 Mbytes Page：10 Pages	IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A Benefits •VeryLowConductionandSwitchingLossesforaHighEfficiency OperationinVariousApplications •RuggedTransientReliability •OutstandingParallelOperationPerformancewithBalanceCurrentSharing •LowEMI Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •VeryLowSaturat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FGY160T65SPD-F085	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：650V FS GEN3 TRENCH IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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FGY160T65SPD-F085

文件：3.43739 Mbytes

Page：10 Pages

IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

Benefits •VeryLowConductionandSwitchingLossesforaHighEfficiency OperationinVariousApplications •RuggedTransientReliability •OutstandingParallelOperationPerformancewithBalanceCurrentSharing •LowEMI Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •VeryLowSaturat

ONSEMION Semiconductor

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包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：650V FS GEN3 TRENCH IGBT

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产品属性

产品编号：
FGY160T65SPD-F085
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，160A
开关能量：
12.4mJ（开），5.7mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/98ns
测试条件：
400V，160A，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
650V FS GEN3 TRENCH IGBT

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更多FGY160T65SPD_F085供应商更新时间2024-4-19 15:31:00

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