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FGY120T65S_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FGY120T65S_F085

功能描述

IGBT,650V,120A 场截止,带软快速恢复二极管的沟槽

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FGY120T65S_F085规格书详情

特性 Features

•适用于汽车
• 非常低的饱和电压: VCE(sat) = 1.5 V(典型值) @ IC = 120 A
• 最高结温: TJ = 175 oC
• 正温度系数
• 紧密的参数分布
• 高输入阻抗
• 部件 100% 进行动态检测
• 短路耐用性 μs @ 25 oC>
• 与快速软恢复极快速二极管共封装

技术参数

  • 制造商编号

    :FGY120T65S_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :240

  • VF Typ (V)

    :1.3

  • Eoff Typ (mJ)

    :3.5

  • Eon Typ (mJ)

    :6.8

  • Trr Typ (ns)

    :123

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :162

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :6

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :882

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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