FGY40T120SMD中文资料IGBT，1200V，40A，场截止沟槽数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术，飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性 Features

•FS 沟道技术，正温度系数
•高速开关
•低饱和电压： VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A
•ILM
部件100%检测
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

简介

FGY40T120SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGY40T120SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。