首页>FGY40T120SMD>规格书详情

FGY40T120SMD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

FGY40T120SMD

参数属性

FGY40T120SMD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 80A TO-247

功能描述

IGBT,1200V,40A,场截止沟槽
IGBT 1200V 80A TO-247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-7 15:18:00

人工找货

FGY40T120SMD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FGY40T120SMD规格书详情

描述 Description

通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术,飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性 Features

•FS 沟道技术,正温度系数
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A
•ILM
部件100%检测
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

简介

FGY40T120SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGY40T120SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGY40T120SMD

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1200

  • IC Max (A)

    :40

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :3.8

  • Eoff Typ (mJ)

    :1.1

  • Eon Typ (mJ)

    :2.7

  • Trr Typ (ns)

    :200

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :370

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :882

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
22+
TO-247
14100
原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO247
1900
原装正品,假一罚十!
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
8000
正规渠道,只有原装!
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON
22+
NA
900
原装正品支持实单
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
onsemi
25+
TO-247-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ON/安森美
22+
TO-247
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
ON Semiconductor
2022+
TO-247
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价