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FGY40T120SMD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGY40T120SMD |
参数属性 | FGY40T120SMD 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 80A TO-247 |
功能描述 | IGBT,1200V,40A,场截止沟槽 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 15:18:00 |
人工找货 | FGY40T120SMD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
FGY40T120SMD规格书详情
描述 Description
通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术,飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
特性 Features
•FS 沟道技术,正温度系数
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)= 1.8 V @ IC = 40 A
•ILM
部件100%检测
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
简介
FGY40T120SMD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGY40T120SMD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGY40T120SMD
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:1200
- IC Max (A)
:40
- VCE(sat) Typ (V)
:1.8
- VF Typ (V)
:3.8
- Eoff Typ (mJ)
:1.1
- Eon Typ (mJ)
:2.7
- Trr Typ (ns)
:200
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:370
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:882
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO247 |
1900 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
22+ |
NA |
900 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-247 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |