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FGPF4565数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGPF4565

参数属性

FGPF4565 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 650V TO220F

功能描述

IGBT,650 V,场截止沟槽
IGBT TRENCH/FS 650V TO220F

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FGPF4565规格书详情

描述 Description

通过利用创新场截止 IGBT 技术,Fairchild 的新系列场截止槽 IGBT 提供了 IPL(强度脉冲光)的最优性能。

特性 Features

•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat) =1.5 V(典型值) (IC = 30 A)
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

简介

FGPF4565属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGPF4565晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGPF4565

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :650

  • IC Max (A)

    :170

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.5

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :40.3

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :30

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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