FGPF4565数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
FGPF4565 |
参数属性 | FGPF4565 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH/FS 650V TO220F |
功能描述 | IGBT,650 V,场截止沟槽 |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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FGPF4565规格书详情
描述 Description
通过利用创新场截止 IGBT 技术,Fairchild 的新系列场截止槽 IGBT 提供了 IPL(强度脉冲光)的最优性能。
特性 Features
•高电流能力
•低饱和电压: VCE(sat) =1.5 V(典型值) (IC = 30 A)
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准
简介
FGPF4565属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGPF4565晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGPF4565
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:650
- IC Max (A)
:170
- VCE(sat) Typ (V)
:1.5
- VF Typ (V)
:-
- Eoff Typ (mJ)
:-
- Eon Typ (mJ)
:-
- Trr Typ (ns)
:-
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:40.3
- Short Circuit Withstand (µs)
:-
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:30
- Co-Packaged Diode
:No
- Package Type
:TO-220-3 FullPak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220F |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
880000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
1168 |
询价 | |||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
2000 |
原装现货,实单价格可谈 |
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FAIRCHILD原装现货 |
1625+ |
TO220 |
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FAIRCHILD原装现货 |
23+ |
TO220 |
28000 |
原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO220F |
12245 |
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FAIRCHILD |
TO220F |
9500 |
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FAIRCHILD |
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TO220F |
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