选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-220F |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220F |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-220F |
13629 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220F |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46480 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TO-247ST |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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Fairchild |
33500 |
23+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Fairchild/ONTO220F |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Fairchild/ONTO220F |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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12000 |
1305+ |
公司特价原装现货 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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FSC/ON原包装原封 □□ |
3368 |
23+ |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILDSMD |
7669 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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FSCTO-220F |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Fairchild/ONTO220F |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
FGPF30N30采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FGPF30N30图片
FGPF30N30中文资料Alldatasheet PDF
更多FGPF30N30功能描述:IGBT 晶体管 300V 30A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF30N30D制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V, 30A PDP IGBT
FGPF30N30DTU功能描述:IGBT 晶体管 300V 30A PDP IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF30N30TDTU功能描述:IGBT 晶体管 300V 30A PNP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGPF30N30TTU功能描述:IGBT 晶体管 300V 30A PDP Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
FGPF30N30
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.5V @ 15V,10A
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220F-3
- 描述:
IGBT 300V 46W TO220F