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G15N60	文件：339 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G15N60HS	文件：326.01 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G15N60HS	文件：820.88 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
HMG15N60	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG15N60D	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG15N60F	文件：2.02454 Mbytes Page：8 Pages	600V,15A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS15N60	文件：995.16 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS15N60D	文件：995.16 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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ICE15N60	文件：551.9 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE15N60	文件：996.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
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IGB15N60T	文件：364.87 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TrenchandFieldstoptechnologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGB15N60T	文件：688.45 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP15N60T	文件：404.96 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStop짰andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP15N60T	文件：362.11 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime5s •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptedPowerSupply •TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGP15N60T	文件：502.64 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多FGPF15N60UNDF功率三极管供应商更新时间2024-9-20 10:50:00

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