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FGHL75T65MQDT中文资料IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGHL75T65MQDT

参数属性

FGHL75T65MQDT 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24

功能描述

IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 12:22:00

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FGHL75T65MQDT规格书详情

描述 Description

ON Semiconductor's series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and well controllable turnoff Vce overshoot. Well suited for solar inverter, UPS, EV charging stations, ESS and other hi performance power conversion applications.

特性 Features

• Positive temperature co-efficient
• Easy paralleling operation
• Low Vce(sat)
• Low conduction losses
• Low Eon and Eoff
• Low switching losses

应用 Application

• PFC boost converter
• T-type inverter
• I-type inverter
• HERIC inverter
• UPS
• Solar Inverters
• EV charging stations
• Energy storage systems

简介

FGHL75T65MQDT属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGHL75T65MQDT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FGHL75T65MQDT

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    2.35mJ(开),1.25mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    24ns/118ns

  • 测试条件:

    400V,75A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24

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