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FGHL75T65MQDT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGHL75T65MQDTL4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-4 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL75T65SQ	文件：246.44 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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AFGHL75T65SQDC	文件：261.649 Kbytes Page：10 Pages	HybridFieldStopTrenchIGBT650V,75A,TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGHL75T65SQDT	文件：260.899 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SHD	文件：1.26049 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65SHDT	文件：2.196 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,75A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FGH75T65SQDT	文件：1.0744 Mbytes Page：11 Pages	http://115.22.68.60/master/PDF_DATA/ONSEMI/FGH75T65SQDT.PDF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH75T65UPD	文件：922.83 Kbytes Page：10 Pages	650V,75AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGHL75T65LQDT	文件：405.67 Kbytes Page：4 Pages	TrenchandFieldStopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.35V@IC=75A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
FGHL75T65MQDT
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，75A
开关能量：
2.35mJ（开），1.25mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/118ns
测试条件：
400V，75A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24

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