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FGL12040WD

1200 V、40 A 场截止沟道 IGBT

Fairchild 的新型场截止第 2代 IGBT 系列采用的是创新型场截止 IGBT 技术,为需要低导通和开关损耗的焊接机应用提供最优性能。 •最大结温: TJ = 150°C\n•正温度系数,易于并联运行\n•低饱和电压: VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 40 A\n•部件 100% 经过 ILM检测\n\n•短路耐用性>5 us @ 150°C\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FGL12040WD

1200 V, 40 A Field Stop Trench IGBT

文件:1.06718 Mbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FGL12040WD

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO264-3

ONSEMI

安森美半导体

FS12040

Active Heat Sink

文件:84.97 Kbytes 页数:1 Pages

ALPHAC

FS12040PU

Active Heat Sink

文件:84.97 Kbytes 页数:1 Pages

ALPHAC

FST12040

120 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier

Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability

文件:134.78 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

产品属性

  • 产品编号:

    FGL12040WD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    4.1mJ(开),1mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    45ns/560ns

  • 测试条件:

    600V,40A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO264-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多FGL12040WD供应商 更新时间2026-4-17 10:12:00