FGL12040WD中文资料1200 V、40 A 场截止沟道 IGBT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

Fairchild 的新型场截止第 2代 IGBT 系列采用的是创新型场截止 IGBT 技术，为需要低导通和开关损耗的焊接机应用提供最优性能。

特性 Features

•最大结温： TJ = 150°C
•正温度系数，易于并联运行
•低饱和电压： VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 40 A
•部件 100% 经过 ILM检测

•短路耐用性>5 us @ 150°C
•高输入阻抗
•符合 RoHS 标准

简介

FGL12040WD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGL12040WD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。