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FGHL50T65SQ数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGHL50T65SQ |
| 参数属性 | FGHL50T65SQ 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：FS4TIGBT TO247 50A 650V |
| 功能描述 | IGBT 650V FS4 高速版，适用于采用 TO-247 封装的 PFC 应用 |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | FGHL50T65SQ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGHL50T65SQ规格书详情
描述 Description
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. FGHL50T65SQ is single IGBT. This IGBT offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
特性 Features
• VCE(sat) = 1.6V (typ.) @ IC = 50A
• Low consuction loss
• High speed switching
• Low switching loss
应用 Application
• PFC
• Power supply
• Air conditioner
简介
FGHL50T65SQ属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGHL50T65SQ晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGHL50T65SQ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：650
- IC Max (A)
：50
- VCE(sat) Typ (V)
：1.6
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：0.088
- Eon Typ (mJ)
：0.41
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：99
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：268
- Co-Packaged Diode
：No
- Package Type
：TO-247-3LD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
7737 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-247-3LD |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-247 |
4500 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ON |
23+ |
原厂原封 |
450 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-247 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 | ||
ON-SEMI |
22+ |
N/A |
3150 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
