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FGHL75T65LQDT数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGHL75T65LQDT

参数属性

FGHL75T65LQDT 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2

功能描述

IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:20:00

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FGHL75T65LQDT规格书详情

描述 Description

ON Semiconductor's series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and controllable turnoff Vce overshoot. Well suited for solar inverter, UPS, EV charging stations, ESS and other high performance power conversion applications.

特性 Features

• Positive temperature co-efficient
• Easy paralleling operation
• Low Vce(sat)
• Low conduction losses

应用 Application

• T-type inverter
• I-type inverter
• UPS
• Solar Inverters
• EV charging stations
• Energy storage systems

简介

FGHL75T65LQDT属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGHL75T65LQDT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FGHL75T65LQDT

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.35V @ 15V,75A

  • 开关能量:

    1.88mJ(开),2.38mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    48ns/568ns

  • 测试条件:

    400V,75A,4.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
TO-247
20000
询价
onsemi(安森美)
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ON
23+
7800
全新、原装
询价
ON(安森美)
25+
标准封装
8000
原装,请咨询
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ONSEMI
22+
SMD
900
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ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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ON
24+
TO-247-3LD
25000
ON全系列可订货
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ON
23+
原厂原封
450
订货1周 原装正品
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ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单
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TO-247
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