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FGL60N100BNTD	文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages	NPT-Trench IGBT 文件：682.03 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGL60N100BNTD	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000 V, 60 A NPT Trench IGBT 文件：394.77 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGL60N100BNTDTU	文件：394.77 Kbytes Page：7 Pages	1000 V, 60 A NPT Trench IGBT 文件：394.77 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGL60N100BNTD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1000V，60A，NPT 沟槽 IGBT 该 1000V NPT IGBT 采用安森美半导体的专属沟槽设计和先进 NPT 技术，提供卓越导通和开关性能、高雪崩耐用性和轻松并联操作。此器件为 UPS 和焊接机等硬开关应用提供最佳性能。 •高速开关\n•高输入阻抗\n•内置快速恢复二极管;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGL60N100BNTD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FGL60N100BNTDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-264-3，TO-264AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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