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FGL60N100BNTD中文资料1000V，60A，NPT 沟槽 IGBT数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGL60N100BNTD |
| 参数属性 | FGL60N100BNTD 封装/外壳为TO-264-3，TO-264AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1000V 60A 180W TO264 |
| 功能描述 | 1000V，60A，NPT 沟槽 IGBT |
| 封装外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | FGL60N100BNTD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGL60N100BNTD规格书详情
描述 Description
该 1000V NPT IGBT 采用安森美半导体的专属沟槽设计和先进 NPT 技术，提供卓越导通和开关性能、高雪崩耐用性和轻松并联操作。此器件为 UPS 和焊接机等硬开关应用提供最佳性能。
特性 Features
•高速开关
•高输入阻抗
•内置快速恢复二极管
应用 Application
不间断电源 其他工业
简介
FGL60N100BNTD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGL60N100BNTD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
FGL60N100BNTD
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT 和沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，60A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
140ns/630ns
- 测试条件：
600V，60A，51 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
- 供应商器件封装：
TO-264-3
- 描述：
IGBT 1000V 60A 180W TO264
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO264 |
8548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
仙童FSC |
23+ |
TO-264 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
FSC |
25+ |
TO-3PL |
53 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-264 |
6000 |
原装正品,欢迎咨询 |
询价 | ||
FSC |
24+/25+ |
TO-264 |
6621 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-264 |
32360 |
ON/安森美全新特价FGL60N100BNTD即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON/FAIRCH |
2019 |
TO-264 |
19700 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3PL |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON SEMI |
/ |
N/A |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
