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FGL40N120AND数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGL40N120AND

参数属性

FGL40N120AND 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 1200V 64A TO264-3

功能描述

IGBT,1200V,NPT
IGBT NPT 1200V 64A TO264-3

封装外壳

TO-264-3,TO-264AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:08:00

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FGL40N120AND规格书详情

描述 Description

通过采用 NPT 技术,Fairchild 的 AN 系列 IGBT 提供低导通和开关损耗。 AN 系列为诸如感应加热 (IH), 电机控制、通用变频器和不间断电源 (UPS) 的应用提供解决方案。

特性 Features

•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)=2.6 V,需 IC=40 A
•高输入阻抗
•Co-PAK,IGBT 及 FRD: trr=75 ns(典型值)

应用 Application

• 其他工业

简介

FGL40N120AND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGL40N120AND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGL40N120AND

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1200

  • IC Max (A)

    :40

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.6

  • VF Typ (V)

    :3.2

  • Eoff Typ (mJ)

    :1.1

  • Eon Typ (mJ)

    :2.3

  • Trr Typ (ns)

    :75

  • Irr Typ (A)

    :8

  • Gate Charge Typ (nC)

    :220

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :10

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :500

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-264-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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