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FGL40N120AND中文资料IGBT,1200V,NPT数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
FGL40N120AND |
参数属性 | FGL40N120AND 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 1200V 64A TO264-3 |
功能描述 | IGBT,1200V,NPT |
封装外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
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FGL40N120AND规格书详情
描述 Description
通过采用 NPT 技术,Fairchild 的 AN 系列 IGBT 提供低导通和开关损耗。 AN 系列为诸如感应加热 (IH), 电机控制、通用变频器和不间断电源 (UPS) 的应用提供解决方案。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)=2.6 V,需 IC=40 A
•高输入阻抗
•Co-PAK,IGBT 及 FRD: trr=75 ns(典型值)
应用 Application
• 其他工业
简介
FGL40N120AND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGL40N120AND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:FGL40N120AND
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:1200
- IC Max (A)
:40
- VCE(sat) Typ (V)
:2.6
- VF Typ (V)
:3.2
- Eoff Typ (mJ)
:1.1
- Eon Typ (mJ)
:2.3
- Trr Typ (ns)
:75
- Irr Typ (A)
:8
- Gate Charge Typ (nC)
:220
- Short Circuit Withstand (µs)
:10
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:500
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-264-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-264 |
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