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FGL35N120FTD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGL35N120FTD |
| 参数属性 | FGL35N120FTD 封装/外壳为TO-264-3，TO-264AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3 |
| 功能描述 | 1200V，35A，场截止沟道 IGBT |
| 封装外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | FGL35N120FTD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGL35N120FTD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS 和焊机等硬开关应用提供最佳性能。
特性 Features
•场截止沟道技术
•高速开关
•低饱和电压：VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A
•高输入阻抗
应用 Application
• 发电和配电
• 不间断电源
简介
FGL35N120FTD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGL35N120FTD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGL35N120FTD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：35
- VCE(sat) Typ (V)
：1.68
- VF Typ (V)
：2.7
- Eoff Typ (mJ)
：1.7
- Eon Typ (mJ)
：2.5
- Trr Typ (ns)
：520
- Irr Typ (A)
：7.6
- Gate Charge Typ (nC)
：210
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：368
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-264-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO264 |
190 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO264 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
2017+ |
TO-3PL |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO264 |
1709 |
询价 | |||
onsemi |
两年内 |
NA |
375 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-3PL |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2020+ |
TO-264 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO264 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
TO264 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
