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FGD5T120SH中文资料IGBT,1200V,5A,FS 沟槽数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGD5T120SH

功能描述

IGBT,1200V,5A,FS 沟槽

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :FGD5T120SH

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1200

  • IC Max (A)

    :5

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.9

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.94

  • Eon Typ (mJ)

    :0.247

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :6.7

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :69

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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