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FGD3N60UNDF数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FGD3N60UNDF

功能描述

600 V,3 A,短路额定 IGBT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 12:00:00

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FGD3N60UNDF规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的 NPT IGBT 采用的是先进的 NPT IGBT 技术,为具有低损耗和短路耐用性特征的低功率逆变器驱动应用提供最优性能。

特性 Features

•短路承受额定 10us
•高电流能力
•高输入阻抗
•快速开关
•符合RoHS标准

技术参数

  • 制造商编号

    :FGD3N60UNDF

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :3

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2

  • VF Typ (V)

    :1.7

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.3

  • Eon Typ (mJ)

    :0.52

  • Trr Typ (ns)

    :21

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :1.6

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :10

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :60

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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