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FGD3040G2-F085C中文资料IGBT， N 沟道点火，DPAK，26A，1.35V，300mJ EcoSPARK® II数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGD3040G2-F085C |
| 参数属性 | FGD3040G2-F085C 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252 |
| 功能描述 | IGBT， N 沟道点火，DPAK，26A，1.35V，300mJ EcoSPARK® II |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-14 20:00:00 |
| 人工找货 | FGD3040G2-F085C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGD3040G2-F085C规格书详情
描述 Description
N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.
特性 Features
• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
• Qualified to AEC Q101
• RoHS Compliant
简介
FGD3040G2-F085C属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD3040G2-F085C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGD3040G2-F085C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：400
- IC Max (A)
：26
- VCE(sat) Typ (V)
：1.5
- Trr Typ (ns)
：1900
- Gate Charge Typ (nC)
：21
- PD Max (W)
：150
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DIPTO263-5 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
23+ |
22+ |
7000 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2022+ |
D-PAK(TO-252) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ONSEMI |
21+ |
TO252 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
