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FGD2N40中文资料400V N-Channel Logic Level IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FGD2N40

参数属性

FGD2N40 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 400V 7A 29W DPAK

功能描述

400V N-Channel Logic Level IGBT
IGBT 400V 7A 29W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FGD2N40规格书详情

简介

FGD2N40属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD2N40晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FGD2N40L

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 2.4V,2.5A

  • 输入类型:

    逻辑

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    47ns/650ns

  • 测试条件:

    300V,2.5A,51欧姆,4V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 400V 7A 29W DPAK

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