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FGB7N60UNDF中文资料IGBT，600V，7A，短路额定数据手册ONSEMI规格书
FGB7N60UNDF规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 NPT IGBT 产品采用先进的 NPT IGBT 技术，为具有低损耗和短路强度特征的低功率逆变器驱动应用提供最佳性能。
特性 Features
•短路承受额定 10us
•高电流能力
•高输入阻抗
•快速开关
•符合RoHS标准
应用 Application
• 运动控制-家用设备
技术参数
- 制造商编号
：FGB7N60UNDF
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：7
- VCE(sat) Typ (V)
：1.9
- VF Typ (V)
：1.7
- Eoff Typ (mJ)
：104
- Eon Typ (mJ)
：99
- Trr Typ (ns)
：70
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：18
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：83
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263-3 |
1471 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
378 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-263 |
378 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
23+ |
18266 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
ON/安森美 |
19+ |
1000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
FAIRCHI |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
19+ |
TO-263 |
15000 |
询价 | |||
仙童 |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 |
