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FGB3056_F085数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGB3056_F085

参数属性

FGB3056_F085 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:ECOSPARK IGNITION IGBT

功能描述

IGBT,EcoSPARK® 300mJ,560V,N 沟道点火
ECOSPARK IGNITION IGBT

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FGB3056_F085规格书详情

特性 Features

• SCIS 能量 = 300mJ (TJ = 25oC)
•逻辑电平栅极驱动

简介

FGB3056_F085属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGB3056_F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGB3056_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :560

  • IC Max (A)

    :29

  • VCE(sat) Typ (V)

    :560

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :-

  • Eon Typ (mJ)

    :-

  • Trr Typ (ns)

    :1480

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :15.6

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :200

  • Co-Packaged Diode

    :-

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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