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FGD3050G2V数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGD3050G2V

参数属性

FGD3050G2V 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 500V 27A DPAK-3

功能描述

IGBT, 500V, 27A, 1.3V, 300mJ, DPAKEcoSPARK® II, N-Channel Ignition
IGBT 500V 27A DPAK-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 21:28:00

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FGD3050G2V规格书详情

描述 Description

N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.

特性 Features

• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
• Qualified to AEC Q101
• RoHS Compliant

简介

FGD3050G2V属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD3050G2V晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FGD3050G2V

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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