FGD3050G2中文资料IGBT，500V，27A，1.3V，300mJ，DPAKEcoSPARK® II，N 沟道点火数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FGD3050G2 |
| 参数属性 | FGD3050G2 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 500V 27A DPAK-3 |
| 功能描述 | IGBT，500V，27A，1.3V，300mJ，DPAKEcoSPARK® II，N 沟道点火 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | FGD3050G2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGD3050G2规格书详情
描述 Description
N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.
特性 Features
• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
• Qualified to AEC Q101
• RoHS Compliant
简介
FGD3050G2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD3050G2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGD3050G2
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：495
- IC Max (A)
：32
- VCE(sat) Typ (V)
：1.1
- Eon Typ (mJ)
：300
- Trr Typ (ns)
：1.6
- Gate Charge Typ (nC)
：22
- EAS Typ (mJ)
：300
- PD Max (W)
：150
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
2669 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
42 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FSC仙童 |
1704+ |
TO-252 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
TO252 |
23+ |
6000 |
原装现货有上库存就有货全网最低假一赔万 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO252 |
10686 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
