FGD3050G2数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGD3050G2 |
| 参数属性 | FGD3050G2 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 500V 27A DPAK-3 |
| 功能描述 | IGBT，500V，27A，1.3V，300mJ，DPAKEcoSPARK® II，N 沟道点火 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 10:55:00 |
| 人工找货 | FGD3050G2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGD3050G2规格书详情
描述 Description
N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.
特性 Features
• SCIS Energy = 300mJ at TJ = 25°C
• Logic Level Gate Drive
• Qualified to AEC Q101
• RoHS Compliant
简介
FGD3050G2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD3050G2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGD3050G2
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：495
- IC Max (A)
：32
- VCE(sat) Typ (V)
：1.1
- Eon Typ (mJ)
：300
- Trr Typ (ns)
：1.6
- Gate Charge Typ (nC)
：22
- EAS Typ (mJ)
：300
- PD Max (W)
：150
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
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