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FGD3N60LSD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
FGD3N60LSD |
| 参数属性 | FGD3N60LSD 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 6A 40W DPAK |
| 功能描述 | IGBT，600V，3A，1.2V，DPAK，平面 |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | FGD3N60LSD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FGD3N60LSD规格书详情
描述 Description
飞兆的绝缘栅极双极晶体管(IGBT)提供非常低的传导损耗。 该器件专为极低导通压降是必需功能的应用而设计。
特性 Features
• 高电流能力
• 极低饱和电压： VCE(sat) = 1.2 V（IC = 3 A时）
• 高输入阻抗
简介
FGD3N60LSD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD3N60LSD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：FGD3N60LSD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：6
- VCE(sat) Typ (V)
：1.2
- VF Typ (V)
：1.5
- Eoff Typ (mJ)
：1
- Eon Typ (mJ)
：0.25
- Trr Typ (ns)
：234
- Irr Typ (A)
：2.64
- Gate Charge Typ (nC)
：12.5
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：40
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
5000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
NA |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-251 |
5000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
12+ |
TO-251 |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
67300 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
12500 |
正规渠道,只有原装! |
询价 |
