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FGD4536TM数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

FGD4536TM

参数属性

FGD4536TM 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 360V 125W DPAK

功能描述

360 V PDP Trench IGBT
IGBT 360V 125W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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FGD4536TM规格书详情

描述 Description

Using novel trench IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for consumer appliances and PDP TV applications where low conduction and switching losses are essential.

特性 Features

• High Current Capability
• Powerful & Variety applications.
• RoHS Compliant
• Eco-Friendly
• High Input Impedance
• optimum performance for consumer appliances and PDP TV applications.
• Fast Switching
• Optimum performance

应用 Application

• PDP TV, Consumer Appliances
• Television, Screen, Monitor, Consumer products.

简介

FGD4536TM属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的FGD4536TM晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    FGD4536TM_SN00306

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,50A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 360V 125W DPAK

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