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FGD4536TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGD4536TM	文件：1.1359 Mbytes Page：8 Pages	360 V PDP Trench IGBT GeneralDescription UsingnoveltrenchIGBTtechnology,Fairchild’snewseriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforconsumerappliancesandPDPTVapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGD4536TM_SN00306	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 360V 125W DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGPF4536	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF4536	文件：718.69 Kbytes Page：8 Pages	360V,PDPIGBT GeneralDescription UsingnoveltrenchIGBTtechnology,Fairchild®’snewseriesoftrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforconsumerappliances,PDPTVandlightingapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationV	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF4536JDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF4536YDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HCC4536	文件：351.13 Kbytes Page：17 Pages	PROGRAMMABLETIMER DESCRIPTION TheHCC4536B(extendedtemperaturerange)andHCF4536B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuits,availablein16-leaddualin-lineplasticorceramicpackage. ■24FLIP-FLOPSTAGES-COUNTSFROM 20TO224 ■LAST16STAGESSELECTABLEBYBCDSELECT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4536B	文件：351.13 Kbytes Page：17 Pages	PROGRAMMABLETIMER DESCRIPTION TheHCC4536B(extendedtemperaturerange)andHCF4536B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuits,availablein16-leaddualin-lineplasticorceramicpackage. ■24FLIP-FLOPSTAGES-COUNTSFROM 20TO224 ■LAST16STAGESSELECTABLEBYBCDSELECT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4536BF	文件：351.13 Kbytes Page：17 Pages	PROGRAMMABLETIMER DESCRIPTION TheHCC4536B(extendedtemperaturerange)andHCF4536B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuits,availablein16-leaddualin-lineplasticorceramicpackage. ■24FLIP-FLOPSTAGES-COUNTSFROM 20TO224 ■LAST16STAGESSELECTABLEBYBCDSELECT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
FGD4536TM
功能描述：
IGBT 晶体管 360V PDP IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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